Моя заявка (0)
DMNH4011SK3Q-13, MOSFETs 40V N-Ch Enh FET 175c 20Vgss 2.6W

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005059378
Артикул
DMNH4011SK3Q-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Вес, г
0.34
Technology:
Si
Subcategory:
MOSFETs
Цена по запросу
(от 203,91 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы Встроенные в диоды автомобильные МОП-транзисторы отвечают строгим требованиям стандарта надежности AEC-Q101 Совета по автомобильной электронике. Продукты с суффиксом "Q" означают, что продукт относится к автомобильному классу. Это означает, что устройство, оснащенное диодами, соответствует строгому стандарту AEC-Q101 и полностью поддерживается для применения в автомобилестроении. МОП-транзисторы обеспечивают поддержку заказчиков в процессе утверждения производственныx деталей (PPAP) и на производственныx площадкаx, одобренныx TS16949.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Вес, г0.34
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:DPAK-3(TO-252-3)
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:25.5 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Особенности-
Pd - Power Dissipation:50 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current:50 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:10 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация