DMNH10H028SPS-13, MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 175c 20Vgss 1.6W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004701697
- Артикул
- DMNH10H028SPS-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 3
- Серия
- DMNH10H028
- Структура
- N-Channel
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 185,39 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 175c 20Vgss 1.6W
Технические параметры
| Вес, г | 3 |
| Серия | DMNH10H028 |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | PowerDI5060-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 36 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.9 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 40 A |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 28 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | +175 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 20 V, +20 V |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 28 mOhms |