DMN95H2D2HCTI, MOSFETs MOSFETBVDSS: 800V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059369
- Артикул
- DMN95H2D2HCTI
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 455
- Упаковка
- Tube
- Структура
- MOSFET
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 490 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор МОП-транзисторBVDSS: >800V
Технические параметры
| Вес, г | 455 |
| Упаковка | Tube |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 31 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | ITO-220AB-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 20.3 nC |
| Время нарастания | 49 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 40 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 6 A |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.7 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 950 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 51 ns |
| Типичное время задержки при включении | 39 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |