Моя заявка (0)

DMN90H8D5HCT, Транзистор N-MOSFET, полевой, 900В, 2,5А, 125Вт, TO220AB

DMN90H8D5HCT, Транзистор N-MOSFET, полевой, 900В, 2,5А, 125Вт, TO220AB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8003831620
Артикул
DMN90H8D5HCT
Бренд
DIODES INC.
Case
TO220AB
Mounting
THT
Вес, г
1.95
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Цена по запросу
(от 132,20 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 900В, 2,5А, 125Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

CaseTO220AB
MountingTHT
Вес, г1.95
ManufacturerDIODES INCORPORATED
Polarisationunipolar
КорпусTO220AB
Drain current2.5A
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
Power dissipation125W
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±30V
On-state resistance7Ω
Drain-source voltage900V
Особенности-
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт125
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация