Моя заявка (0)
DMN66D0LDW-7, MOSFETs 250mW 60Vdss

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005475210
Артикул
DMN66D0LDW-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Product:
MOSFET Small Signals
Вес, г
0.01
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 90,99 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Product:MOSFET Small Signals
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-363-6
Transistor Type:2 N-Channel
Product Category:MOSFET
СтруктураMOSFET
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:250 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:10 ns
Typical Turn-Off Delay Time:33 ns
Id - Continuous Drain Current:115 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:6 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация