DMN65D9L-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 3K
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059360
- Артикул
- DMN65D9L-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 1
- Корпус
- sot23
- Структура
- MOSFET
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 22,50 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R 3K
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Корпус | sot23 |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 22 ns |
| Power Dissipation (Pd) | 270mW |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 400pC@4.5V |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 41pF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 335mA |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 400 fC |
| Время нарастания | 3.6 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 270 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 335 mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 16 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 102 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3.7 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.27 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4Ω@500mA, 10V |