Моя заявка (0)

DMN65D8LW-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,26А, 0,3Вт, SOT323

DMN65D8LW-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,26А, 0,3Вт, SOT323

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8041082024
Артикул
DMN65D8LW-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMN65
Fall Time:
7.3 ns
Rise Time:
2.8 ns
Цена по запросу
(от 7,90 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMN65
Fall Time:7.3 ns
Rise Time:2.8 ns
Вес, г0.1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусSOT323
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-323-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:870 pC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностиоднопереходный
Pd - Power Dissipation:300 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:2.7 ns
Typical Turn-Off Delay Time:12.6 ns
Id - Continuous Drain Current:300 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:80 mS
Rds On - Drain-Source Resistance:3 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.26
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация