Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025170206
Артикул
DMN65D8LV-13
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.02
Корпус
SOT-23
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
370mW
Цена по запросу
(от 6 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.02
КорпусSOT-23
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)370mW
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)870pC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)22pF@25V
Continuous Drain Current (Id)310mA
Пороговое напряжение на затворе2V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.37
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)3Ω@115mA, 10V