Моя заявка (0)

DMN65D8LQ-13, 60V 310mA 370mW 3Ohm@115mA,10V N Channel SOT-23-3 MOSFETs

DMN65D8LQ-13, 60V 310mA 370mW 3Ohm@115mA,10V N Channel SOT-23-3 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8040725194
Артикул
DMN65D8LQ-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMN65
Вес, г
0.04
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 9 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы Встроенные в диоды автомобильные МОП-транзисторы отвечают строгим требованиям стандарта надежности AEC-Q101 Совета по автомобильной электронике (Automotive Electronics Council). Продукты с суффиксом "Q" означают, что они предназначены для использования в автомобилестроении. Это означает, что устройство соответствует строгому стандарту AEC-Q101 и полностью поддерживается для применения в автомобилестроении. МОП-транзисторы обеспечивают поддержку клиентов с помощью PPAP (процесса утверждения производственныx деталей) и производственныx площадок, одобренныx TS16949.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMN65
Вес, г0.04
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусSOT-23-3
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:870 pC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:540 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current:310 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:3 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:10000
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.31
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.37
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)3Ом

Техническая документация