DMN65D8LFB-7, MOSFETs 60V N-Ch Dual Enh 20Vgss 300mW Pd
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005475209
- Артикул
- DMN65D8LFB-7
- Бренд
- DIODES INC.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.21.0095
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 29,95 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 60V N-Ch Dual Enh 20Vgss 300mW Pd
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 9 |
| Серия | DMN65D |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-UFDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Base Product Number | DMN65 -> |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 6.29 ns |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 115mA, 10V |
| Особенности | полевая сборка |
| Power Dissipation (Max) | 430mW (Ta) |
| Supplier Device Package | X1-DFN1006-3 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | X1-DFN1006-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Время нарастания | 3.15 ns |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 260mA (Ta) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 430 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 400 mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 12.025 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3.27 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 6Ω@115mA, 10V |