DMN65D8LDWQ-7, MOSFETs 60V N-Ch Dual Enh 20Vgss 300mW Pd
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005541529
- Артикул
- DMN65D8LDWQ-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMN65D
- Вес, г
- 69
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 61 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMN65D |
| Вес, г | 69 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-363-6 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 870 pC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 300mW |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 400 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 870pC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 22pF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 180mA |
| Id - Continuous Drain Current: | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6 Ohms |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 6Ω@115mA, 10V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 6Ω@115mA, 10V |