DMN63D8L-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 0,3А, 0,35Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017543678
- Артикул
- DMN63D8L-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMN63D8L
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
Цена по запросу
(от 15,04 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMN63D8L |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fall Time: | 16.7 ns |
| Rise Time: | 3.9 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.5 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | sot23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 900 pC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8Ohm @ 250mA, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 520 mW |
| Power Dissipation (Max) | 350mW(Ta) |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.3 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.9 nC @ 10 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 11.4 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 350 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 80 mS |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.8 Ohms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 23.2 pF @ 25 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 350mA(Ta) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.35 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |