Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025170243
Артикул
DMN63D1LW-13
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.02
Корпус
sot-323
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
310mW
Цена по запросу
(от 21 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.02
Корпусsot-323
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)310mW
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)300pC@4.5V
Input Capacitance (Ciss@Vds)30pF@25V
Continuous Drain Current (Id)380mA
Пороговое напряжение на затворе2.5V@1mA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.37
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)2Ω@500mA, 10V