DMN63D1LV-7, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022003879
- Артикул
- DMN63D1LV-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- N Channel
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 9.9 ns
- Rise Time:
- 3.4 ns
Цена по запросу
(от 11,24 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы SOT-563 ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 9.9 ns |
| Rise Time: | 3.4 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | SOT-563-6 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 392 pC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 940 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15.7 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 550 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 80 mS |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.37 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |