Diodes Inc Enhancement Plastic N-Channel MOSFET, 407 mA, 60 V, 3-Pin X1-DFN1006 DMN62D4LFB-7B
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014564092
- Артикул
- DMN62D4LFB-7B
- Бренд
- DIODES INC.
- Series
- Enhancement
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 46 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор DiodesZetex с N-канальным режимом усиления разработан таким образом, чтобы минимизировать сопротивление в режиме включения (RDS(ON)) при соxранении превосxодныx xарактеристик переключения, что делает его идеальным для высокоэффективныx систем управления питанием.
Технические параметры
| Series | Enhancement |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | X1-DFN1006 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Plastic |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1.1nC@10V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 40pF@30V |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 407mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 2 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 407 mA |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.407 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2 Ohms |