DMN62D1SFB-7B, MOSFETs MOSFET BVDSS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059348
- Артикул
- DMN62D1SFB-7B
- Бренд
- DIODES INC.
- HTS
- 8541.29.00.95
- Brand:
- Diodes Incorporated
- EU RoHS
- Compliant
- Series:
- DMN62D1SFB
Цена по запросу
(от 45,95 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| EU RoHS | Compliant |
| Series: | DMN62D1SFB |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Fall Time: | 11.96 ns |
| Rise Time: | 4.93 ns |
| Вес, г | 25 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package Width | 0.6 |
| Package/Case: | X1-DFN1006-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package Height | 0.47 |
| Package Length | 1 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DFN |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 2.8 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | DFN |
| Typical Fall Time (ns) | 11.96 |
| Typical Rise Time (ns) | 4.93 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 470 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.89 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 18.8 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 410 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 470 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 1.39 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 0.73@4.5V|1.39@10V |
| Forward Transconductance - Min: | 100 mS |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 3.89 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 18.8 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.4 Ohms |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.41 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 40@40V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1400@10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.47 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |