Diodes Inc N-Channel MOSFET, 407 mA, 60 V, 3-Pin X1-DFN1006 DMN62D1LFB-7B
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014511273
- Артикул
- DMN62D1LFB-7B
- Бренд
- DIODES INC.
- Width
- 0.67mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 23 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Этот МОП-транзистор нового поколения разработан таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии (RDS(ON)) и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения, что делает его идеальным для высокоэффективныx систем управления питанием.
Технические параметры
| Width | 0.67mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | X1-DFN1006 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.3V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 16.3 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.45 nC @ 4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | X1-DFN1006-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.6V |
| Qg - заряд затвора | 0.9 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 3 mΩ |
| Время нарастания | 3.4 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 407 mA |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 0.5 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 320 mA |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 26.4 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3.4 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 600 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.407 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |