DMN62D0SFD-7,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 540 mA, 2 ohm, X1-DFN1212, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050441057
- Артикул
- DMN62D0SFD-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- N Channel
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 9.04 ns
- Rise Time:
- 3.81 ns
Цена по запросу
(от 52 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
60 В, 540 мА, 430 МВт, 2 ОМ при 10 В, 500 мА 2.5V@1mA N-канальные полевые транзисторы UDFN-3 (1.2x1.2), соответствующие требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 9.04 ns |
| Rise Time: | 3.81 ns |
| Вес, г | 0.001 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | X1-DFN1212-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 870 pC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 430mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 890 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.95 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 540mA |
| Id - Continuous Drain Current: | 540 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.6 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.54 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.43 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2 Ом |