Моя заявка (0)

DMN62D0SFD-7,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 540 mA, 2 ohm, X1-DFN1212, Surface Mount

DMN62D0SFD-7,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 540 mA, 2 ohm, X1-DFN1212, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050441057
Артикул
DMN62D0SFD-7
Бренд
DIODES INC.
Type
N Channel
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
9.04 ns
Rise Time:
3.81 ns
Цена по запросу
(от 52 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

60 В, 540 мА, 430 МВт, 2 ОМ при 10 В, 500 мА 2.5V@1mA N-канальные полевые транзисторы UDFN-3 (1.2x1.2), соответствующие требованиям ROHS

Технические параметры

TypeN Channel
Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:9.04 ns
Rise Time:3.81 ns
Вес, г0.001
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:X1-DFN1212-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:870 pC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Power Dissipation (Pd)430mW
Особенности-
Pd - Power Dissipation:890 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:3.95 ns
Typical Turn-Off Delay Time:16 ns
Continuous Drain Current (Id)540mA
Id - Continuous Drain Current:540 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:2 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.6 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.54
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.43
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)2 Ом

Техническая документация