Моя заявка (0)
DMN62D0LFD-7, Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin X1-DFN EP T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002184896
Артикул
DMN62D0LFD-7
Бренд
DIODES INC.
PPAP
No
Type
N Channel
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Цена по запросу
(от 11 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-контактный X1-DFN EP T/R

Технические параметры

PPAPNo
TypeN Channel
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Вес, г1
No. of Pins3Pins
PCB changed3
Part StatusActive
Channel TypeN Channel
ConfigurationSingle
Package Width1.2 mm
Package Length1.2 mm
Supplier PackageX1-DFN EP
Maximum IDSS (uA)1
СтруктураN-Channel
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Standard Package NameDFN
Transistor Case StyleX1-DFN1212
Power Dissipation (Pd)480mW
Typical Fall Time (ns)8.7
Typical Rise Time (ns)2.1
Особенности-
Drain Source Voltage Vds60V
Operating Temperature Max150°C
Total Gate Charge (Qg@Vgs)500pC@4.5V
Continuous Drain Current Id310mA
Number of Elements per Chip1
Input Capacitance (Ciss@Vds)31pF@25V
Continuous Drain Current (Id)310mA
Maximum Power Dissipation (mW)480
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)0.5@4.5V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)2.6
Maximum Drain-Source Voltage (V)60
Typical Turn-Off Delay Time (ns)18
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Maximum Gate Threshold Voltage (V)1
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)31@25V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)2000@4V
Maximum Gate-Source Leakage Current (nA)500
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.31
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.48
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация