DMN62D0LFB-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 X2-DFN1006-3 T&R 3K
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059339
- Артикул
- DMN62D0LFB-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMN62
- Fall Time:
- 16.3 ns
- Rise Time:
- 3.4 ns
Цена по запросу
(от 44,13 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMN62 |
| Fall Time: | 16.3 ns |
| Rise Time: | 3.4 ns |
| Вес, г | 0.08 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | X1-DFN1006-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 450 pC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.4 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26.4 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 320 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 600 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 41 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.47 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |