DMN61D8LQ-7, MOSFETs 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005475206
- Артикул
- DMN61D8LQ-7
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- Yes
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
- ECCN (US)
- EAR99
Цена по запросу
(от 78,19 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 60V 0.47A Автомобильный 3-контактный SOT-23 T/R
Технические параметры
| PPAP | Yes |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 102 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Product Category | Small Signal |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Maximum IDSS (uA) | 50 |
| Структура | MOSFET |
| Standard Package Name | SOT |
| Typical Fall Time (ns) | 440 |
| Typical Rise Time (ns) | 301 |
| Особенности | - |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 610 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 0.74@5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±12 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 131 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 582 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.47 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 12.9@12V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1800@5V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 90000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.47 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.61 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |