Моя заявка (0)
DMN61D8L-7, MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgss SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004701691
Артикул
DMN61D8L-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMN61
Fall Time:
440 ns
Rise Time:
301 ns
Цена по запросу
(от 74,99 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы DMNxx Diodes Inc. МОП-транзисторы DMNxx - это N-канальные устройства, идеально подxодящие для удовлетворения требований различныx приложений управления питанием. МОП-транзисторы DMNxx предлагают множество вариантов комплектации и широкий диапазон значений напряжения сток-исток.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMN61
Fall Time:440 ns
Rise Time:301 ns
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Корпусsot23
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:740 pC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:610 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-5 V, +5 V
Typical Turn-On Delay Time:131 ns
Typical Turn-Off Delay Time:582 ns
Id - Continuous Drain Current:470 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:1.8 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация