DMN6140LQ-7, MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 10A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059331
- Артикул
- DMN6140LQ-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Q(g)
- 8.6 nC
- V(DS)
- 60 V
- Brand:
- Diodes Incorporated
- P(tot)
- 0.7 W
Цена по запросу
(от 31,53 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET; полевой Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Q(g) | 8.6 nC |
| V(DS) | 60 V |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| P(tot) | 0.7 W |
| Package | SOT-23 |
| R(thJC) | 39 K/W |
| Series: | DMN6140 |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Automotive | AEC-Q(101) |
| Fall Time: | 2.7 ns |
| Rise Time: | 3.6 ns |
| Вес, г | 26 |
| Logic level | YES |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | N-CH |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| RDS(on)at 10V | 140 mOhm |
| Configuration: | Single |
| Fast bodydiode | NO |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| I(D)at Tc=25°C | 2.3 A |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 8.6 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 700 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16.3 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 140 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |