Моя заявка (0)

DMN6140L-7, 60V 1.6A 140mOhm@10V,1.8A 700mW 3V@250uA N Channel SOT-23-3L MOSFETs

DMN6140L-7, 60V 1.6A 140mOhm@10V,1.8A 700mW 3V@250uA N Channel SOT-23-3L MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017602462
Артикул
DMN6140L-7
Бренд
DIODES INC.
Width
1.4mm
Pin Count
3
Вес, г
0.36
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 15,94 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Width1.4mm
Pin Count3
Вес, г0.36
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOT-23
КорпусSOT-23-3
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityN Channel
Forward Diode Voltage1V
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation1.3 W
Typical Gate Charge @ Vgs8.6 nC @ 10 V
Vgs - Gate-Source Voltage3V @ 250uA
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage3V
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Maximum Drain Source Resistance170 mΩ
Maximum Continuous Drain Current2.9 A
Rds On - Drain-Source Resistance140mО© @ 1.8A,10V
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)700mW
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage60V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C1.6A
Пороговое напряжение на затворе0.65…1.45 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)140мОм

Техническая документация