DMN6140L-13, Транзистор: N-MOSFET; полевой
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017546543
- Артикул
- DMN6140L-13
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- Brand:
- Diodes Incorporated
- EU RoHS
- Compliant
- Series:
- DMN614
Цена по запросу
(от 21,46 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| PPAP | No |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| EU RoHS | Compliant |
| Series: | DMN614 |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 2.7 ns |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Rise Time: | 3.6 ns |
| Вес, г | 0.06 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 8.6 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | SOT |
| Typical Fall Time (ns) | 2.7 |
| Typical Rise Time (ns) | 3.6 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.3 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 3V @ 250uA |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16.3 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1300 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 8.6 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 8.6@10V|4.1@5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 2.6 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 140mО© @ 1.8A,10V |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 16.3 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 140 mOhms |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3 |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 700mW |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 2.3 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 315@40V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 140@10V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 1.6A |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |