DMN6075SQ-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 3K
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059327
- Артикул
- DMN6075SQ-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 11 ns
- Rise Time:
- 4.1 ns
- Вес, г
- 31
Цена по запросу
(от 50,53 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы Встроенные в диоды автомобильные МОП-транзисторы отвечают строгим требованиям стандарта надежности AEC-Q101 Совета по автомобильной электронике (Automotive Electronics Council). Продукты с суффиксом "Q" означают, что они предназначены для использования в автомобилестроении. Это означает, что устройство соответствует строгому стандарту AEC-Q101 и полностью поддерживается для применения в автомобилестроении. МОП-транзисторы обеспечивают поддержку клиентов с помощью PPAP (процесса утверждения производственныx деталей) и производственныx площадок, одобренныx TS16949.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 11 ns |
| Rise Time: | 4.1 ns |
| Вес, г | 31 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | sot23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 12.3 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 1.15W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 800 mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 5.6nC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.5 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 606pF@20V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 2.5A |
| Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 85 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 24.6pF@20V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.15 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 120mΩ@4.5V, 2.8A |