Моя заявка (0)

DMN6075S-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 1,5А, 0,5Вт, SOT23

DMN6075S-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 1,5А, 0,5Вт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017563047
Артикул
DMN6075S-7
Бренд
DIODES INC.
Width
1.4mm
Pin Count
3
Вес, г
0.02
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 30,05 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 1,5А, 0,5Вт, SOT23

Технические параметры

Width1.4mm
Pin Count3
Вес, г0.02
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOT-23
Корпусsot23
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураMOSFET
Transistor MaterialSi
Forward Diode Voltage1.2V
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation1.15 W
Typical Gate Charge @ Vgs12.3 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage3V
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Maximum Drain Source Resistance120 mΩ
кол-во в упаковке3000
Maximum Continuous Drain Current2.5 A
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация