Моя заявка (0)

DMN6075S-13, 60V 2A 800mW 85mOhm@3.2A,10V N Channel SOT-23-3 MOSFETs

DMN6075S-13, 60V 2A 800mW 85mOhm@3.2A,10V N Channel SOT-23-3 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062599524
Артикул
DMN6075S-13
Бренд
DIODES INC.
Type:
Enhancement Mode MOSFET
Brand:
Diodes Incorporated
Product:
Enhancement Mode MOSFETs
Fall Time:
11 ns
Цена по запросу
(от 44,45 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Type:Enhancement Mode MOSFET
Brand:Diodes Incorporated
Product:Enhancement Mode MOSFETs
Fall Time:11 ns
Rise Time:4.1 ns
Вес, г0.02
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:SOT-23-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:12.3 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:10000
Pd - Power Dissipation:1.15 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:3.5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:35 ns
Id - Continuous Drain Current:2.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:120 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V

Техническая документация