Моя заявка (0)
DMN6070SFCL-7, MOSFETs N-Ch 31V to 99V 60V 120mOhm 606pF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004613397
Артикул
DMN6070SFCL-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMN60
Fall Time:
11 ns
Rise Time:
4.1 ns
Цена по запросу
(от 88 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMN60
Fall Time:11 ns
Rise Time:4.1 ns
Вес, г0.08
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:X1-DFN1616-6
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:12.3 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1.8 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:3.5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:35 ns
Id - Continuous Drain Current:2.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:2.6 S
Rds On - Drain-Source Resistance:120 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)120 mOhms

Техническая документация