DMN6069SE-13, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062418730
- Артикул
- DMN6069SE-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Width
- 3.55mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 210 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Этот МОП-транзистор нового поколения был разработан таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление включенному состоянию (RDS(on)) и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения, что делает его идеальным для высокоэффективныx систем управления питанием.
Технические параметры
| Width | 3.55mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-223 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Forward Diode Voltage | 1.1V |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 11 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 16 nC @ 10V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 100 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 10 A |