Моя заявка (0)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 10 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 DMN6069SE-13

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 10 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 DMN6069SE-13

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014511266
Артикул
DMN6069SE-13
Бренд
DIODES INC.
Width
3.55mm
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 63,43 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Этот МОП-транзистор нового поколения был разработан таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление включенному состоянию (RDS(on)) и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения, что делает его идеальным для высокоэффективныx систем управления питанием.

Технические параметры

Width3.55mm
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOT-223
КорпусSOT-223
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Automotive StandardAEC-Q101
Forward Diode Voltage1.1V
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation11 W
Typical Gate Charge @ Vgs16 nC @ 10V
Maximum Gate Source Voltage±20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage3V
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Maximum Drain Source Resistance100 mΩ
Maximum Continuous Drain Current10 A
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А10
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация