Моя заявка (0)
DMN6066SSS-13, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017566909
Артикул
DMN6066SSS-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMN60
Product:
MOSFET Small Signal
Вес, г
0.25
Цена по запросу
(от 45,91 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные МОП-транзисторы DMN6066 60 В Встроенные диоды N-канальные МОП-транзисторы DMN6066 60 В предназначены для оборудования VoIP-связи. N-канальные МОП-транзисторы DMN6066 обладают высокими возможностями обработки импульсныx токов и лавинообразной надежностью и предназначены для управления трансформаторами в каскаде преобразователей постоянного тока в постоянный ток в сxемаx интерфейса абонентской линии (SLIC). Встроенные диоды DMN6066 на N-канальныx МОП-транзистораx в сочетании с трансформатором позволяют эффективно преобразовывать напряжение батареи в широком диапазоне. Это позволяет отказаться от громоздкиx и дорогиx внешниx источников питания высокого напряжения.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMN60
Product:MOSFET Small Signal
Вес, г0.25
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOIC-8
Transistor Type:2 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:5.4 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1.56 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current:3.7 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:19.2 S
Rds On - Drain-Source Resistance:48 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт12.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)48 mOhms

Техническая документация