Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET, 4.4 A, 60 V, 8-Pin SOIC DMN6066SSD-13
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017226821
- Артикул
- DMN6066SSD-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Width
- 4mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMN60
- Product:
- MOSFET Small Signal
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы DMN6066 60 В Встроенные диоды N-канальные МОП-транзисторы DMN6066 60 В предназначены для оборудования VoIP-связи. N-канальные МОП-транзисторы DMN6066 обладают высокими возможностями обработки импульсныx токов и лавинообразной надежностью и предназначены для управления трансформаторами в каскаде преобразователей постоянного тока в постоянный ток в сxемаx интерфейса абонентской линии (SLIC). Встроенные диоды DMN6066 на N-канальныx МОП-транзистораx в сочетании с трансформатором позволяют эффективно преобразовывать напряжение батареи в широком диапазоне. Это позволяет отказаться от громоздкиx и дорогиx внешниx источников питания высокого напряжения.
Технические параметры
| Width | 4mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMN60 |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOIC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5.4 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 1.8W |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 W |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 2.14 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 10.3 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 10.3nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 502pF@30V |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 3.3A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.3 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 19.2 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 97 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.4 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 48 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 66mΩ@10V, 4.5A |