DMN6040SSS-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059322
- Артикул
- DMN6040SSS-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMN60
- Fall Time:
- 4 ns
- Rise Time:
- 8.1 ns
Цена по запросу
(от 81,73 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 4,4А, 1Вт, SO8 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMN60 |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 8.1 ns |
| Вес, г | 88 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SO-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 22.4 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20.1 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 5.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 40 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 41 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |