DMN6040SSD-13, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 60В, 4,1А, 800мВт, SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017538573
- Артикул
- DMN6040SSD-13
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- Width
- 3.95mm
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 51,86 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 60V 5A с 8-контактным разъемом SO T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| Width | 3.95mm |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.07 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOIC |
| Configuration | Dual Dual Drain |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SO |
| Maximum IDSS (uA) | 0.1 |
| Transistor Material | Si |
| Standard Package Name | SO |
| Typical Fall Time (ns) | 4 |
| Typical Rise Time (ns) | 8.1 |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 1.7 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 22.4 nC @ 10 V |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1700 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 22.4 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 22.4@10V|10.4@4.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 55 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 6.6 |
| Maximum Continuous Drain Current | 6.6 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 20.1 |
| Maximum Diode Forward Voltage (V) | 1.2 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 5 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1287@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 40@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Непрерывный Ток Стока | 5А |
| Рассеиваемая Мощность | 1.3Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 800мВт |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |