DMN601WKQ-7, Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002244632
- Артикул
- DMN601WKQ-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- 1PCSNChannel
- Вес, г
- 1
- Корпус
- sot-323
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 13 ₽)
Минимальный заказ: 1900 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 2N7002 Family
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Вес, г | 1 |
| Корпус | sot-323 |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 50pF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 300mA |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@1mA |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2Ω@500mA, 10V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 300 mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |