DMN601VKQ-7, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025338068
- Артикул
- DMN601VKQ-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMN601
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 58 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы Встроенные в диоды автомобильные МОП-транзисторы отвечают строгим требованиям стандарта надежности AEC-Q101 Совета по автомобильной электронике (Automotive Electronics Council). Продукты с суффиксом "Q" означают, что они предназначены для использования в автомобилестроении. Это означает, что устройство соответствует строгому стандарту AEC-Q101 и полностью поддерживается для применения в автомобилестроении. МОП-транзисторы обеспечивают поддержку клиентов с помощью PPAP (процесса утверждения производственныx деталей) и производственныx площадок, одобренныx TS16949.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMN601 |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-563-6 |
| Product Category: | MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 250mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 250 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 50pF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 305mA |
| Id - Continuous Drain Current: | 305 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2Ω@500mA, 10V |