Моя заявка (0)
DMN601DWK-7, Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SOT-363 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001291443
Артикул
DMN601DWK-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMN60
Product:
MOSFET Small Signal
Вес, г
0.01
Цена по запросу
(от 25 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMN60
Product:MOSFET Small Signal
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусSOT-363
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-363-6
Transistor Type:2 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:304 pC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:200 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current:300 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-65 C
Rds On - Drain-Source Resistance:3 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.305
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация