Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET, 580 mA, 60 V, 6-Pin SOT-26 DMN601DMK-7
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014596463
- Артикул
- DMN601DMK-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Width
- 1.7mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMN60
- Product:
- MOSFET Small Signal
Цена по запросу
(от 94 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Width | 1.7mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMN60 |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Pin Count | 6 |
| Fall Time: | 9.9 ns |
| Rise Time: | 3.4 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-26 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SOT-26-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 304 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 700mW |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 225 mW |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 980 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 304 nC @ 4.5 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 304pC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.9 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 50pF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15.7 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 510mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 305 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Forward Transconductance - Min: | 100 mS |
| Maximum Drain Source Resistance | 4 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 580 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.58 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.4Ω@10V, 200mA |