DMN55D0UT-7, Trans MOSFET N-CH 50V 0.16A 3-Pin SOT-523 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001006886
- Артикул
- DMN55D0UT-7
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
- ECCN (US)
- EAR99
Цена по запросу
(от 5 ₽)
Минимальный заказ: 6223 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 50V 0,16A 3-контактный SOT-523 T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Product Category | Small Signal |
| Supplier Package | SOT-523 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | SOT |
| Typical Fall Time (ns) | 11 |
| Typical Rise Time (ns) | 4.4 |
| Особенности | - |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 200 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 295 4V|636 8V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±12 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 6 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 50 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 23.4 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 1 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.16 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 25 10V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 4000 4V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 5000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.16 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |