DMN53D0LW-7, MOSFETs FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56p
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004701688
- Артикул
- DMN53D0LW-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- 1PCSNChannel
- Вес, г
- 0.01
- Серия
- DMN53
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 28,89 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56pF
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Вес, г | 0.01 |
| Серия | DMN53 |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 11 ns |
| Power Dissipation (Pd) | 320mW |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1.2nC@10V |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 45.8pF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 360mA |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 1.2 nC |
| Время нарастания | 2.5 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 420 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 360 mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 50 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V@100uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 18.9 ns |
| Типичное время задержки при включении | 2.7 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 80 mS |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.32 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2Ω@10V, 270mA |