Моя заявка (0)
DMN53D0LV-7, Транзистор: N-MOSFET x2

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8023307738
Артикул
DMN53D0LV-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Pin Count
6
Fall Time:
11 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 32 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Двуxканальный МОП-транзистор DiodesZetex был разработан таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление в режиме включения (RDS(ON)) и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения, что делает его идеальным для высокоэффективныx систем управления питанием.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Pin Count6
Fall Time:11 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:2.5 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOT-563
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT563-6
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:600 pC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:430 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Maximum Gate Source Voltage1.5 V
Number of Elements per Chip2
Typical Turn-On Delay Time:2.7 ns
Maximum Drain Source Voltage50 V
Typical Turn-Off Delay Time:19 ns
Id - Continuous Drain Current:350 mA
Maximum Gate Threshold Voltage1.5V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance4.5 Ω
Maximum Continuous Drain Current350 mA
Rds On - Drain-Source Resistance:1.6 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:50 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:800 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе1V@1mA
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.37
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация