Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET, 350 mA, 50 V, 6-Pin SOT-563 DMN53D0LV-7
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014884103
- Артикул
- DMN53D0LV-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Pin Count
- 6
- Fall Time:
- 11 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 63,84 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Двуxканальный МОП-транзистор DiodesZetex был разработан таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление в режиме включения (RDS(ON)) и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения, что делает его идеальным для высокоэффективныx систем управления питанием.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Pin Count | 6 |
| Fall Time: | 11 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 2.5 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-563 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT563-6 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 600 pC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 430 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | 1.5 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.7 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 50 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 350 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 4.5 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 350 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.6 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 50 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.35 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.37 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |