DMN53D0LQ-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 50В, 0,2А, 0,37Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017543675
- Артикул
- DMN53D0LQ-7
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- Yes
- Brand
- Diodes Incorporated
- Series
- DMN53
- EU RoHS
- Compliant
Цена по запросу
(от 67,34 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 50V 0,5A автомобильный 3-контактный SOT-23 T/R
Технические параметры
| PPAP | Yes |
| Brand | Diodes Incorporated |
| Series | DMN53 |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Fall Time | 11 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 2.5 ns |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.02 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Product Type | MOSFET |
| Корпус | sot23 |
| Configuration | Single |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 600 pC |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Power Dissipation | 370мВт |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Standard Package Name | SOT |
| Pd - Power Dissipation | 540 mW |
| Typical Fall Time (ns) | 11 |
| Typical Rise Time (ns) | 2.5 |
| Особенности | - |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Typical Turn-On Delay Time | 2.7 ns |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 19 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 500 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 540 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 0.6@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 2.7 |
| Drain Source On State Resistance | 1.6Ом |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 50 |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.6 Ohms |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 19 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 1.5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.5 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 46@25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 50 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1600@10V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 800 mV |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 10000 |
| Непрерывный Ток Стока | 500мА |
| Рассеиваемая Мощность | 370мВт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 50В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.6Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.37 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |