Моя заявка (0)
DMN53D0LQ-13, MOSFETs 2N7002 Family

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8060430950
Артикул
DMN53D0LQ-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMN53
Fall Time:
11 ns
Rise Time:
2.5 ns
Цена по запросу
(от 13,39 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMN53
Fall Time:11 ns
Rise Time:2.5 ns
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:600 pC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:540 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:2.7 ns
Typical Turn-Off Delay Time:19 ns
Id - Continuous Drain Current:500 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:1.6 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:50 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:800 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:10000

Техническая документация