Моя заявка (0)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 360 mA, 50 V, 6-Pin SOT-363 DMN53D0LDW-7

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 360 mA, 50 V, 6-Pin SOT-363 DMN53D0LDW-7

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017226836
Артикул
DMN53D0LDW-7
Бренд
DIODES INC.
Width
1.35mm
Pin Count
6
Вес, г
1
Серия
DMN53
Цена по запросу
(от 18 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs

Технические параметры

Width1.35mm
Pin Count6
Вес, г1
СерияDMN53
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOT-363
КорпусSOT-363
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Forward Diode Voltage1.4V
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада11 ns, 11 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияDual
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation310 mW
Typical Gate Charge @ Vgs0.6 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-363-6
Maximum Drain Source Voltage50 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора2 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage0.8V
Qg - заряд затвора0.6 nC
Maximum Drain Source Resistance4.5 Ω
Время нарастания2.5 ns, 2.5 ns
Maximum Continuous Drain Current360 mA
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов2 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности310 mW
Id - непрерывный ток утечки360 mA
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.6 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток50 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения19 ns, 19 ns
Типичное время задержки при включении2.7 ns, 2.7 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток800 mV
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.36
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.31
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.6 Ом

Техническая документация