DMN4800LSSL-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 SO-8,2.5K
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059292
- Артикул
- DMN4800LSSL-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMN4800
- Pin Count
- 8
- Fall Time:
- 8.55 ns
Цена по запросу
(от 70,86 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMN4800 |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 8.55 ns |
| Rise Time: | 4.5 ns |
| Вес, г | 0.75 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOIC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SO-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 8.7 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.46 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.46 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 8.7 nC @ 5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.03 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26.33 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.6V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 8 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 20 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 14 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.46 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |