DMN4800LSS-13, MOSFETs N-CHAN ENHNCMNT MODE
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006279501
- Артикул
- DMN4800LSS-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Product:
- MOSFET Small Signals
- Fall Time:
- 4.5 ns
- Rise Time:
- 4.5 ns
Цена по запросу
(от 66,53 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Fall Time: | 4.5 ns |
| Rise Time: | 4.5 ns |
| Вес, г | 0.75 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | SOIC-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 8.7 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Power Dissipation (Pd) | 1.46W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.46 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 9.47nC@5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.03 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 798pF@10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26.33 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 9A |
| Id - Continuous Drain Current: | 8.6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 20 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.6V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.46 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 16mΩ@10V, 9A |