DMN4468LSS-13, MOSFETs N-CHAN ENHNCMNT MODE
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059290
- Артикул
- DMN4468LSS-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Product:
- MOSFET Small Signals
- Fall Time:
- 14.53 ns
- Rise Time:
- 14.53 ns
Цена по запросу
(от 78,42 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Fall Time: | 14.53 ns |
| Rise Time: | 14.53 ns |
| Вес, г | 0.07 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | SOIC-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 18.85 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.52 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.46 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 18.84 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 20 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.05 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 4.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |