Моя заявка (0)

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 4.8 A, 45 V, 6-Pin TSOT-26 DMN4060SVT-7

Diodes Inc N-Channel MOSFET, 4.8 A, 45 V, 6-Pin TSOT-26 DMN4060SVT-7

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8688280724
Артикул
DMN4060SVT-7
Бренд
DIODES INC.
Width
1.6mm
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMN40
Pin Count
6
Цена по запросу
(от 93 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный МОП-транзистор, от 40 В до 90 В, диоды вкл.

Технические параметры

Width1.6mm
Brand:Diodes Incorporated
Series:DMN40
Pin Count6
Fall Time:4 ns
Rise Time:8.1 ns
Вес, г10
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTSOT-26
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TSOT-26-6
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:22.4 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1.8 W
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation1.8 W
Typical Gate Charge @ Vgs22.4 nC @ 10 V
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:6.6 ns
Maximum Drain Source Voltage45 V
Typical Turn-Off Delay Time:20.1 ns
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Id - Continuous Drain Current:4.8 A
Maximum Gate Threshold Voltage3V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance62 mΩ
Maximum Continuous Drain Current4.8 A
Rds On - Drain-Source Resistance:46 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:45 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В45
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4.8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация